삼성전자가 평택캠퍼스 2라인에 낸드플래시 생산라인을 구축하는 투자를 단행한다. 삼성전자는 지난 5월 평택 2라인에 낸드플래시 생산을 위한 클린룸 공사에 착수했으며 2021년 하반기 양산을 시작할 계획이다. 이번 투자는 AI, IoT 등 4차 산업혁명 도래와 5G 보급에 따른 중장기 낸드 수요 확대에 대응하기 위해서다. 특히 최근 ‘언택트’ 라이프스타일 확산으로 이런 추세가 더욱 가속될 것으로 예상되는 가운데 삼성전자는 적극적인 투자로 미래 시장기회를 선점해 나간다는 전략이다. 2015년 조성된 평택캠퍼스는 삼성전자의 차세대 메모리 전초기지로서 세계 최대규모의 생산라인 2개가 건설됐다. 이번 투자로 증설된 라인에서는 삼성전자의 최첨단 V낸드 제품이 양산될 예정이다. 삼성전자는 2002년 낸드플래시 시장 1위에 올라 현재까지 18년 이상 독보적인 제조, 기술경쟁력으로 글로벌 시장 리더의 자리를 지키고 있으며 2019년 7월 업계 최초로 6세대 V낸드 제품을 양산한 바 있다. 삼성전자 메모리사업부 전략마케팅실 최철 부사장은 “이번 투자는 불확실한 환경 속에서도 메모리 초격차를 더욱 확대하기 위한 노력”이라며 “최고의 제품으로 고객 수요에 차질없이 대응함으로써 국가
삼성전자가 EUV(극자외선) 기반 최첨단 제품 수요 증가에 대응하기 위해 경기도 평택캠퍼스에 파운드리 생산 시설을 구축한다. 삼성전자는 2020년 2월 EUV 전용 화성 ‘V1 라인’ 가동에 이어 평택까지 파운드리 라인을 구축하며 모바일, HPC(High Performance Computing), AI 등 다양한 분야로 초미세 공정 기술 적용 범위를 확대해 나가고 있다. 이번 투자는 삼성전자가 2019년 4월 발표한 ‘반도체 비전 2030’ 관련 후속 조치의 하나로 삼성전자는 시스템 반도체 분야에서 글로벌 1위를 달성하기 위한 세부 전략을 실행하고 있다. 삼성전자는 5월 평택 파운드리 라인 공사에 착수했으며 2021년 하반기부터 본격 가동할 계획이다. 삼성전자는 2019년 화성 S3 라인에서 업계 최초로 EUV 기반 7나노 양산을 시작한 이후 2020년 V1 라인을 통해 초미세 공정 생산 규모를 지속 확대해 왔다. 여기에 2021년 평택 라인이 가동되면 7나노 이하 초미세 공정 기반 제품의 생산 규모는 더욱 가파르게 증가할 전망이다. 또한 삼성전자는 생산성을 더욱 극대화한 5나노 제품을 2020년 하반기에 화성에서 먼저 양산한 뒤 평택 파운드리 라인에서도 주